快速紅外輻射鍍金聚焦?fàn)t

一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

 我所以優(yōu)質(zhì)紅外發(fā)熱管為加熱元件,采用紅外線鏡面反射技術(shù)，成功研制出快速紅外輻射鍍金聚焦?fàn)t。該加熱裝置解決了傳統(tǒng)電爐升降溫速度慢、使用效率低等難點(diǎn)，控制部分采用智能化控溫系統(tǒng)，可控硅控制，爐體為雙層爐殼，采用水冷系統(tǒng)/風(fēng)冷系統(tǒng)，延長(zhǎng)加熱元件壽命。

拋物線聚焦圖例             橢圓聚焦圖例

二、技術(shù)參數(shù)：

1、最高溫度：1700℃，長(zhǎng)期使用溫度：1600℃（注：理論最高溫度和實(shí)際最高溫度取決于試樣材料。）
    2、最高區(qū)間升溫速率：>280℃/s；  
    3、電壓功率：220（380）V；6-36kw；
    4、加熱方式：紅外輻射加熱；
    5、加熱區(qū)間：點(diǎn)、線（柱狀）、面加熱；
    6、反射面冷卻方式：水冷；
    7、控溫精度：±1℃；
    8、溫度顯示精度：0.1℃；
    9、控制方式：配備智能溫控儀表，可控硅控制，可實(shí)現(xiàn)30段程序控溫。

三、主要功能和特點(diǎn)：

1、可擴(kuò)展在真空/不同氣氛/不同環(huán)境下，對(duì)不同產(chǎn)品、樣品進(jìn)行快速熱處理；

2、溫控精度高；

3、適合高校、科研院所、企業(yè)實(shí)驗(yàn)室使用；

4、操作方便，試樣裝取容易；

5、價(jià)格合理，性價(jià)比高。

四、主要用途：

1、電子材料

（1）硅（Si）和化合物半導(dǎo)體的實(shí)時(shí)分析器（RTA）；

（2）薄膜成型的熱源；

（3）離子注入后的激活器；

（4）硅化物成型的熱源。

2、陶瓷材料/無機(jī)材料

（1）陶瓷基片層壓板的退火爐；

（2）玻璃基片的退火爐；

（3）陶瓷拉伸、彎曲試驗(yàn)的退火爐；

（4）超導(dǎo)陶瓷的退火爐；

（5）陶瓷加熱、循環(huán)加熱試驗(yàn)的退火爐。

3、鋼制材料/金屬材料

（1）薄鋼板加熱過程分析爐；

（2）焊接分析爐；

（3）高溫（1000℃以下）真空加熱試驗(yàn)爐；

（4）大氣條件熔化過程分析爐；

（5）高壓下，難熔鋼和鋁循環(huán)加熱試驗(yàn)爐；

4、復(fù)合材料

（1）絕熱性評(píng)估測(cè)試用爐；

（2）無機(jī)化合物循環(huán)加熱試驗(yàn)爐。

5、其他

（1）高溫條件下，拉伸、壓縮試驗(yàn)用爐；

（2）分段控制爐；

（3）溫度梯度爐；

（4）析出氣體分析爐。